Keramička ploča od silicijum karbida
Uvod
Keramička ploča od silicijum karbida koja se koristi za pečenje općeg porcelana i keramičkih proizvoda (temperatura ispod 1.450 stepeni), napravljena je od SiC vezanog silicijum oksidom (Si2O3), a tehnički se naziva "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Technical Parameter
Tipična analiza kvaliteta |
| Oksidno vezano |
SiC (O-SiC) | ||
Max. radna temperatura (stepen) | 1450 | |
Hemijski sastav SiC ( posto ) | 90 | |
SiO2 | 8 | |
Prividna poroznost (procenti) | 7-8 | |
Nasipna gustina (g/cm3) | 2.75 | |
Modul rupture | 50 | |
na RT (Mpa) | ||
1400 stepeni | 55 | |
Thermal Expansion | 4.2-4.8 | |
na 1000 stepeni (10-6K-1) | ||
Toplotna provodljivost | 13.5-14.5 | |
na 1000 stepeni (W/mK) |
Prednost proizvoda
Ovaj SiC vatrostalni materijal ima vrlo visoku toplotnu provodljivost (skoro 10 puta veću od mulitnog vatrostalnog materijala) i visoku stopu infracrvenog zračenja dugih talasa koji donose veoma visoku toplotnu efikasnost prema proizvodima.
U pogledu performansi troškova za pečenje općeg porcelana i keramičkih proizvoda, ovaj SiC vezani oksidom je najvredniji i najprikladniji vatrostalni materijal. Maksimalna preporučena temperatura rada naše SiC ploče (O-SiC) je 1.450 stepeni.
Proizvodna oprema

Popularni tagovi: Keramička ploča od silicijum karbida, Kina, proizvođači, dobavljači, fabrika, cena, ғәҙәттән тыш коррозияға ҡаршы тороусан сик пластина, күсермәһен ҡулланыу оксиды бәйләнгән sic, йылылыҡ эшкәрткән ҡулланыу оксиды бәйләнгән кремний карбиды, кремний карбиды менән оксид бәйләнеше өсөн күсермә формалаштырыу, әйләнешле формалаштырыу ҡулланыу оксиды бәйләнгән кремний карбиды, оксид берләштерелгән sic өсөн йылылыҡ эшкәртергә
Par
neSljedeći
SiC keramička pločaMoglo bi vam se i svidjeti
Pošaljite upit






