Keramička ploča od silicijum karbida

Keramička ploča od silicijum karbida

Keramička ploča od silicijum karbida koja se koristi za pečenje općeg porcelana i keramičkih proizvoda (temperatura ispod 1.450 stepeni), napravljena je od SiC vezanog silicijum oksidom (Si2O3), a tehnički se naziva "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Pošaljite upit
Uvod u proizvod

 

Uvod

Keramička ploča od silicijum karbida koja se koristi za pečenje općeg porcelana i keramičkih proizvoda (temperatura ispod 1.450 stepeni), napravljena je od SiC vezanog silicijum oksidom (Si2O3), a tehnički se naziva "Oxide Bonded Silicon Carbide".

1 

Technical Parameter

Tipična analiza kvaliteta

 

Oksidno vezano

SiC (O-SiC)

Max. radna temperatura (stepen)

1450

Hemijski sastav SiC ( posto )

90

SiO2

8

Prividna poroznost (procenti)

7-8

Nasipna gustina (g/cm3)

2.75

Modul rupture

50

na RT (Mpa)

1400 stepeni

55

Thermal Expansion

4.2-4.8

na 1000 stepeni (10-6K-1)

Toplotna provodljivost

13.5-14.5

na 1000 stepeni (W/mK)

 

Prednost proizvoda

Ovaj SiC vatrostalni materijal ima vrlo visoku toplotnu provodljivost (skoro 10 puta veću od mulitnog vatrostalnog materijala) i visoku stopu infracrvenog zračenja dugih talasa koji donose veoma visoku toplotnu efikasnost prema proizvodima.
U pogledu performansi troškova za pečenje općeg porcelana i keramičkih proizvoda, ovaj SiC vezani oksidom je najvredniji i najprikladniji vatrostalni materijal. Maksimalna preporučena temperatura rada naše SiC ploče (O-SiC) je 1.450 stepeni.

2 


Proizvodna oprema

 3


Popularni tagovi: Keramička ploča od silicijum karbida, Kina, proizvođači, dobavljači, fabrika, cena, ғәҙәттән тыш коррозияға ҡаршы тороусан сик пластина, күсермәһен ҡулланыу оксиды бәйләнгән sic, йылылыҡ эшкәрткән ҡулланыу оксиды бәйләнгән кремний карбиды, кремний карбиды менән оксид бәйләнеше өсөн күсермә формалаштырыу, әйләнешле формалаштырыу ҡулланыу оксиды бәйләнгән кремний карбиды, оксид берләштерелгән sic өсөн йылылыҡ эшкәртергә

Pošaljite upit

whatsapp

Telefon

VK

Upit